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　　硅碳棒元件可采用并聯(lián)、串聯(lián)、角形、星形以及其它形式的接線方式;但是并聯(lián)優(yōu)越于串聯(lián)，并聯(lián)可以調(diào)節(jié)負(fù)荷不平衡的因素，而多支串聯(lián)則加重了不平衡的因素，提高了工作電壓。

　　表面負(fù)荷密度與爐膛溫度成反比，爐膛溫度越高，允許表面負(fù)荷密度越小;負(fù)荷使用會(huì)引起硅碳棒過熱分解導(dǎo)致發(fā)熱部表面脫落、燒損。為確保元件壽命，切忌讓電熱元件在負(fù)荷條件下使用,一般其值控制在3～8W/cm2。通過調(diào)整加于硅碳棒元件的電力負(fù)荷，降低表面負(fù)荷密度。如采用較小的負(fù)荷和較低的表面負(fù)荷密度，窯內(nèi)溫度雖高，也可以保持相當(dāng)長(zhǎng)的壽命，這可通過改變硅碳棒元件的安裝支數(shù)，或改變?cè)囊?guī)格，以調(diào)節(jié)發(fā)熱表面的大小來實(shí)現(xiàn)。硅碳棒電熱元件高達(dá)2200℃的燒成溫度，賦予了它良好的耐熱性和抗氧化性。除了以上兩點(diǎn)，如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根的電阻快速增加，壽命變短，硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用，使用硅碳棒當(dāng)爐內(nèi)溫度多過1350℃時(shí)必須并聯(lián)，這樣可以減小阻值。負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大，負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快，硅碳棒的壽命短，因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷，密度，爐內(nèi)氣氛，溫度與硅碳棒老化速度成正比，與硅碳棒的壽命成反比。

　　硅碳棒連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長(zhǎng)。這是因?yàn)楣杼及粼谑褂弥斜砻嫜趸啥趸璞∧ぃL(zhǎng)時(shí)間使用硅碳棒皮膜增加，阻值也隨之增加，硅碳棒薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮，因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此爐溫經(jīng)常降至室溫時(shí)會(huì)急劇增加電阻，導(dǎo)致硅碳棒硅碳棒使用壽命縮短。硅碳棒電熱元件的優(yōu)點(diǎn)還有加熱能力好，膨脹系數(shù)小，高溫情況下不易變形，化學(xué)穩(wěn)定性好、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。硅碳棒電熱元件的使用壽命長(zhǎng)，易于安裝、便于維修。硅碳棒電熱元件能夠與自動(dòng)化控制系統(tǒng)配合使用，得到精確的溫度控制效果，保持溫度恒定。

　　硅碳棒廠家將電熱元件在與控制系統(tǒng)搭配后，還能根據(jù)生產(chǎn)需要，按照控制曲線任意調(diào)節(jié)溫度。玻璃液在流過冷卻段及均化段的過程中，應(yīng)使玻璃液均勻冷卻至適合成型的溫度，如果不采取任何措施，料道兩側(cè)散熱多，中間部位散熱少，會(huì)導(dǎo)致玻璃中間部位與兩側(cè)溫度梯度較大，即玻璃液同一斷面的溫度不均勻，使玻璃液粘度不一致，直接影響成型的質(zhì)量。